طریقه عمل کرد درایو فرکانس متغیر variable frequency drive

مبدلهای اولیه از یکسوسازهای کنترلشده سیلیکونی (Silicon Controlled Rectifier: SCR)برای تغییر حالت روشن/خاموش بمنظور تولید خروجی استفاده میکردند. بعدها ترانزیستورهای دوقطبی جایگزین SCRها شدند. از آنجائیکه سرعت برانگیختگی دوقطبیها خیلی بیشتر است ماحصل استفاده از آنها، بهبود خروجی و کاهش هارمونیکها بود. ورود ترانزیستورهای دوقطبی با گیت عایقدار (Insulated Gate Bipolar Transistor: IGBT)خیز به جلوی بزرگی را منجر گردید. امروزه آنها استاندارد درایوهای PWMهستند که هم جایگزین SCRها و هم ترانزیستورهای دوقطبی شدهاند.